PG电子官方网站为了寻找更幼、更节能的开发，探索职员先河追求将能量存储直接集成到微芯片上，从而最景象限地裁汰差异组件之间传输能量时出现的能量吃亏。这种念法并不别致，但目前的技艺还难以餍足正在紧凑空间内存储足够能量并疾捷传输的央浼。

　　劳伦斯伯克利国度实践室和加州大学伯克利分校的科学家们创造出了微型电容器，治理了这一缺陷。这些电容器由氧化铪和氧化锆的工程薄膜造成，采用了芯片成立中常用的质料和成立技艺。它们的异乎寻常之处正在于，因为运用了负电容质料，它们不妨存储比寻常电容器多得多的能量。

　　电容器是电途的基础元件之一。电容器将能量积聚正在由绝缘质料（非金属物质）隔绝的两块金属板之间酿成的电场中。与通过电化学反响积聚能量的电池比拟，电容器能够疾捷供电，运用寿命更长。

　　然而，这些上风的价格是能源密度大大下降。也许这便是为什么咱们只见过鼠标等低功率开发采用这种技艺，而条记本电脑却没有的原故。另表，假设将它们缩幼到微电容巨细用于片上能量存储，题目只会愈加主要。

　　探索职员通过策画 HfO2-ZrO2 薄膜来杀青负电容效应，从而降服了这一困难。通过对因素举办恰如其分的调理PG电子官方网站，他们不妨让这种质料期近使很幼的电场效力下也能轻松极化。

　　为了降低薄膜的储能才气，探索幼组每隔几层 HfO2-ZrO2 就睡觉一层原子级氧化铝薄层，从而使薄膜厚度抵达 100 纳米电子，同时依旧了所需的功能。

　　这些薄膜被集成到三维微型电容器组织中，杀青了破记录的功能：与当今最好的静电电容器比拟，能量密度降低了 9 倍，功率密度降低了 170 倍。这是一个远大的数字。

　　伯克利实践室资深科学家、加州大学伯克利分校教化兼项目有劲人赛义夫-萨拉赫丁（Sayeef Salahuddin）说：咱们得回的能量和功率密度远远高于咱们的预期。咱们多年来不绝正在开采负电容质料，但这些结果特殊令人惊讶。

　　该技艺有帮于餍足物联网、边际企图体例和人为智能治理器等微型开发对幼型化能源存储日益增加的需求。

　　有了这项技艺，咱们结果能够先河杀青正在极幼尺寸的芯片上无缝集成能量存储和电力传输，论文重要作家之一苏拉杰-切马（Suraj Cheema）说。它能够开发微电子能源技艺的新范围。

　　这是一项宏大冲破，但探索职员并没有就此餍足。现正在，他们正正在悉力夸大这项技艺的界限，并将其集成到全尺寸微芯片中，同时进一步降低薄膜的负电容。

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